-=SY=-

sSF = SP0610T (p-MOS) фирма SIEMENS - Короче полевик с p-каналом

Рамсы НЕ ПУТАЮ: Насчёт резакофф: Уверен, что проблемы у тех, у каво память от корейцаф (SAMSUNG), поскольку ф.CYPRESS (которая попалась мне) работает лучше. Объясняю пачиму: Поскольку, учитывая схемотехнику данного устройства, вывод 29 (тот самый WE) микросхемы ОЗУ используется в режиме входа тактофф (CLK), то подтягивающий резистор и даже длина дороги от ПЛИС к ОЗУ имеет очень большое значение. ОЗУ от SAMSUNG (есть опыт...) оказываюцца достаточно медленными в плане заявленных характеристик, причём параметры ИНОГДА сильно отличаются в разных партиях... Чего не скажешь про CYPRESS и WINBOND, последние порой могут работать даже быстрее и без ошибок. В данном устройстве максимальная частота, с которой ПЛИС пытаецца работать с ОЗУ доходит до 20 МГц!!!! Учитывая, что ОЗУ имеет время доступа 55 нс ~~~ 18 МГц - т.е. нормальная работа НЕ гарантируется. Так вот CYPRESS вытягивает без проблем, а SAMSUNG не может (но не фсегда, иногда МОЖЕТ).... Получаеццо, что увеличивая сопротивление этого самого резистора (27 кОм), мы делаем импульс более пологим, т.к. увеличивается время заряда суммарной ёмкости переходофф (ноги 29 ОЗУ, 41 ПЛИС + дорожка) и как следствие увеличивается время нарастания фронта импульса до порогового значения, при котором "сработает" вход WE ОЗУ - т.е. получается некоторая задержка, которая так нужна "медленным" ОЗУ... "Подстройка" таким образом не есть хорошо, поскольку приходиццо искать компромис в подборе номинала данного резистора: слишком малые значения дадут намного больше сбоефф на "тормознутых" ОЗУ, слишком большие "сгладят" импульс до такой степени, что он ваще вылезет за интервалы тактирования..... Решение проблемы: поставьте более быструю память и проблема с резаком исчезнеддд сама собой.... Например, я делал цифровой осцил (собственной разработки) используя память от WINBOND и CPLD(ALTERA) - у меня в цепи WE стоял резистор в 510 Ом (0.5 кОм), поскольку я как раз-таки учитывал эти нюансы..... Будет под рукой осцил (нормальный) выложу осциллограммы - будет по-понятнее.... А методики как таковой нету....

OMEGA Чуваки, объясните мне тупому, кто ваще придумал про какой-то там режим????!!!! Откройте даташит на K6X4008CIF-BF55 (качаем тут http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=K6X4008) Ентот самый резистор 27 кОм являеццо просто подтягиваюшим к плюсу цепь WE - порт ПЛИС. WE - это Write Enable (активный НОЛЬ), нога 41 ПЛИС - один из портоффф ввода/выода, который мона сканфигурить как угодно. Судя по схеме, в данном девайсе он ВЫХОД просто и управляет памятью, а точнее выводом WE (подробнее читайте даташит - объяснять что это такое не буду....). Так вот, поскольку частота памяти довольно таки немаленькая (последние цифры 55 означают минимальные интервалы в наносекундах, между которым можно долбить память, т.е. по сути это 1/55ns = 18 181 818 Гц ~ 18 МГц - максимальная рабочая частота памяти), ТО импулься, которые скачут на этой ноге оооочень, ссука, быстрые и этот самый зловещий резистор (27 кОм) косвенно определяет время заряда/разряда ёмкостей на ногах 29 памяти и 41 ПЛИС. И вот если этим номиналом поиграццо (10....100 кОм), то получим разную "кривизну" импульсофф (тыкайте осцил в это место и фсё поймёте) и чем они ровнее тем и лучше... А какда они кривые - вот вам и ошипки записи/чтения. Мож чё и не софсем по технически растусовал, но пытался довести "до народа"....

OMEGA Ну тут однозначно косяк в цепях ОЗУ-ПЛИС Вымывай флюс. Из польского мне нравиццо только припой. Купил какой-то Cynel Unipress д.0.56 - тасчусь от него - ну очень нравиццо и говорите шо хатите на меня, а вот припой супер!!!! Паяю флюсом ЛТИ-120, который тут апсирали... и ничё - канает на ура - даже сильно не стараюсь при промыфке... мож попал мне какой каКчественный.........

Дорого. Пока нет лишних баблософф.

Внесу свою лепту. Купил у gUeRRa Амегу-конструктор. Собрал на днях - поскольку руки ровные (хвалю себя.......) - всё на ура с первого раза. Так что алес гутттттттт!!! Пасиба gUeRRa !!!

Вот моя - работает отлично уже длительное время...